Storage chips: The "Hunger Games" have begun, marking the start of a four-year upcycle

摩根大通認為，在 AI 計算對高性能內存的巨大需求的推動下，“內存飢渴” 趨勢正在推動整個行業進入結構性增長階段，DRAM 市場正迎來一個從 2024 年持續至 2027 年的 “前所未有的四年定價上行週期”，預計到 2027 年，全球存儲市場規模將達到近 3000 億美元。

在 AI 永不滿足的需求驅動下，全球存儲芯片市場正進入一場前所未有的 “飢餓遊戲”。

據追風交易台消息，摩根大通分析師 Jay Kwon、Sangsik Lee 等在近日發佈的報告中表示，由雲服務提供商引領的 “內存飢渴” 趨勢正在推動整個行業進入結構性增長階段。

報告指出，這一輪週期的核心驅動力來自 AI 計算對高性能內存的巨大需求，其影響已從高端的高帶寬內存（HBM）迅速擴展至傳統 DRAM 和 NAND 閃存。市場動態顯示，供應商在未來 12 個月內可能難以滿足全部需求，從而支撐價格持續走強。

這場行業變局不僅限於 DRAM 市場的價格復甦，NAND 閃存市場同樣在經歷強勁反彈，部分原因是硬盤驅動器（HDD）出現嚴重短缺，迫使客户轉向企業級固態硬盤（eSSD）。

因此，摩根大通大幅上調了全球存儲市場的規模預測，將 2025 至 2026 年的全球存儲市場總體有效市場規模（TAM）預測上調了 6% 至 24%，並預計到 2027 年，市場規模將達到近 3000 億美元。

HBM 引領，DRAM 迎來罕見長週期

報告明確指出，DRAM 市場正迎來一個從 2024 年持續至 2027 年的 “前所未有的四年定價上行週期”。這一罕見的長週期打破了過去數年 “大起大落” 的行業規律，其背後的穩定器正是 HBM。

報告預測，到 2027 年，HBM 在 DRAM 市場總價值中的佔比將高達 43%。HBM 的高價值和強勁需求將有效平滑傳統 DRAM 價格的週期性波動，從而抬高整個 DRAM 市場的利潤底線。

報告認為，即使在 2026 年 HBM3E 產品可能因供應增加而降價，但由於下一代 HBM4 將享有約 35% 的溢價，混合 HBM 平均售價（ASP）在 2026 年仍不太可能下降。

競爭格局方面，SK 海力士被認為在 HBM4 的競賽中處於領先地位，有望比競爭對手更早獲得英偉達的認證，這可能使其佔據超過 60% 的市場份額。報告認為，三星電子和美光或將爭奪剩餘的 HBM4 訂單。

本輪存儲芯片需求的廣度是其核心特徵之一。除了作為焦點的 HBM，需求正向更多元化的應用擴展，共同加劇了供應緊張的局面。

報告強調，用於英偉達下一代 Vera CPU 的 SOCAMM2 內存模組，以及用於 Rubin CPX GPU 的 GDDR7 顯存，都將成為拉動 DRAM 需求的新增長點。

AI 推理、AI 服務和邊緣 AI 應用的興起，要求通用服務器也必須升級內存配置，以獲得更低的延遲和更優的功耗表現。

基於此，摩根大通大幅上調了全球存儲市場的規模預測，將 2025 至 2026 年的全球存儲市場總體有效市場規模（TAM）預測上調了 6% 至 24%，並預計到 2027 年，市場規模將達到近 3000 億美元。

報告預計，到 2027 年，僅 AI 相關應用就將佔據 DRAM 市場 TAM 的 53%。為應對需求激增，存儲芯片製造商預計將在 2026 至 2027 年將資本支出（Capex）提高 7% 至 12%，其中 DRAM 的產能擴張將是優先事項。

在經歷了長達兩年的投資不足後，NAND 閃存市場也迎來了強勁的定價復甦。

報告分析，這一轉變主要得益於企業級固態硬盤（eSSD）需求的激增。一個關鍵的外部因素是傳統硬盤驅動器（HDD）的供應短缺。據媒體報道，部分近線 HDD 的交付週期已長達 52 周。這使得原本主要由 HDD 主導的近線存儲市場，開始大規模將 eSSD 作為替代方案。

與此同時，隨着 AI 模型從訓練轉向推理應用，對數據讀取速度和延遲的要求變得更高，這使得 NAND 的結構性重要性日益凸顯。

摩根大通預計，NAND 價格仍有進一步上漲空間，其混合平均售價在 2026 財年將同比增長 7%。報告同時補充稱，雖然 AI 推理對存儲的需求是結構性的，但其確定性不如 HBM 之於 GPU 計算，因此對 NAND 市場的長期前景持相對審慎樂觀的態度。